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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > BD179
BD179
STMicroelectronics

BD179

STMicroelectronics
TRANS NPN 80V 3A SOT-32
Bleifrei / RoHS-konform

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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
3A
Spannung - Durchschlag
SOT-32
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
80V
Serie
-
RoHS Status
Tube
Widerstand - Base (R1) (Ohm)
-
Leistung - max
30W
Polarisation
TO-225AA, TO-126-3
Andere Namen
BD179ST
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer
BD179
Frequenz - Übergang
15 @ 2V, 1A
Expanded Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 3A 30W Through Hole SOT-32
Beschreibung
TRANS NPN 80V 3A SOT-32
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
100µA (ICBO)
Strom - Collector Cutoff (Max)
800mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (max)
NPN

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