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DTC043ZUBTL
LAPIS Semiconductor

DTC043ZUBTL

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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse
UMT3F
Serie
-
Widerstand - Emitterbasis (R2)
47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Leistung - max
200mW
Verpackung
Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse
SC-85
Andere Namen
DTC043ZUBTLDKR
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit
10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang
250MHz
detaillierte Beschreibung
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)
-
Strom - Kollektor (Ic) (max)
100mA

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