APT10SCD65K
Microsemi
DIODE SILICON 650V 17A TO220
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.8V @ 10A
- Spannung - Sperr (Vr) (max)
- 650V
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-220 [K]
- Geschwindigkeit
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Serie
- -
- Rückwärts-Erholzeit (Trr)
- 0ns
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- TO-220-2
- Betriebstemperatur - Anschluss
- -55°C ~ 150°C
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Diodentyp
- Silicon Carbide Schottky
- detaillierte Beschreibung
- Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K]
- Strom - Sperrleckstrom @ Vr
- 200µA @ 650V
- Strom - Richt (Io)
- 17A
- Kapazität @ Vr, F
- 300pF @ 1V, 1MHz
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