GP1S25J0000F
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 35V
- Art
- Unamplified
- Serie
- -
- Abtastmethode
- Transmissive
- Abtastabstand
- 0.063" (1.6mm)
- Reaktionszeit
- 35µs, 35µs
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- 4-SMD
- Ausgangskonfiguration
- Phototransistor
- Andere Namen
- 425-1967-5
- Betriebstemperatur
- -25°C ~ 85°C
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- detaillierte Beschreibung
- Optical Sensor Transmissive 0.063" (1.6mm) Phototransistor 4-SMD
- Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
- 50mA
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 20mA
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