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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
800V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
3V @ 3A, 12A
Transistor-Typ
NPN
Supplier Device-Gehäuse
TO-264
Serie
-
Leistung - max
200W
Verpackung
Tube
Verpackung / Gehäuse
TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang
-
detaillierte Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 24A 200W Through Hole TO-264
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
5.5 @ 12A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)
200µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)
24A

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