HD1750JL
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 800V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 3V @ 3A, 12A
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-264
- Serie
- -
- Leistung - max
- 200W
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-264-3, TO-264AA
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 24A 200W Through Hole TO-264
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 5.5 @ 12A, 5V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 200µA
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 24A
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