IRF7233
International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
Enthält Blei / RoHS nicht konform
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 600mV @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±12V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 8-SO
- Serie
- HEXFET®
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
- Verlustleistung (max)
- 2.5W (Ta)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Andere Namen
- *IRF7233
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 6000pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 74nC @ 5V
- Typ FET
- P-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 12V
- detaillierte Beschreibung
- P-Channel 12V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 9.5A (Ta)
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