MD2009DFX
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 700V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 2.8V @ 1.4A, 5.5A
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- ISOWATT-218FX
- Serie
- -
- Leistung - max
- 58W
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- ISOWATT218FX
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 10A 58W Through Hole ISOWATT-218FX
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 5 @ 5.5A, 5V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 200µA
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 10A
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