APT45GP120JDQ2
Microsemi
IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 1200V
- VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
- 3.9V @ 15V, 45A
- Supplier Device-Gehäuse
- ISOTOP®
- Serie
- POWER MOS 7®
- Leistung - max
- 329W
- Verpackung / Gehäuse
- ISOTOP
- Andere Namen
- APT45GP120JDQ2MI
APT45GP120JDQ2MI-ND
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- NTC-Thermistor
- No
- Befestigungsart
- Chassis Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 32 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
- 4nF @ 25V
- Eingang
- Standard
- IGBT-Typ
- PT
- detaillierte Beschreibung
- IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP®
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 750µA
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 75A
- Konfiguration
- Single
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