MS2472
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 65V
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- M112
- Serie
- -
- Leistung - max
- 1350W
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- M112
- Betriebstemperatur
- 200°C (TJ)
- Rauschzahl (dB Typ @ f)
- -
- Befestigungsart
- Chassis Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Gewinnen
- 5.6dB
- Frequenz - Übergang
- 1.025GHz ~ 1.15GHz
- detaillierte Beschreibung
- RF Transistor NPN 65V 40A 1.025GHz ~ 1.15GHz 1350W Chassis Mount M112
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 5 @ 250mA, 5V
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 40A
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