STF260N4F7
STMicroelectronics
MOSFET
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-220FP
- Serie
- STripFET™ F7
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.5 mOhm @ 60A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 35W (Tc)
- Verpackung / Gehäuse
- TO-220-3 Full Pack
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 38 Weeks
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 5640pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 67nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 40V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 40V 90A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 90A (Tc)
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