S2000AF
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 700V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 5V @ 1A, 4.5A
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- ISOWATT-218FX
- Serie
- -
- Leistung - max
- 50W
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- ISOWATT218FX
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 8A 50W Through Hole ISOWATT-218FX
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 4.5 @ 4.5A, 5V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 200µA
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 8A
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