SCT20N120
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 1mA
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- Technologie
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Supplier Device-Gehäuse
- HiP247™
- Serie
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 290 mOhm @ 10A, 20V
- Verlustleistung (max)
- 175W (Tc)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-247-3
- Andere Namen
- 497-15170
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 200°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 650pF @ 400V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 45nC @ 20V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 20V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 1200V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 20A (Tc)
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