SGSD200
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 80V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 3.5V @ 80mA, 20A
- Transistor-Typ
- PNP - Darlington
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-247-3
- Serie
- -
- Leistung - max
- 130W
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-247-3
- Andere Namen
- 497-7422-5
SGSD200-ND
- Betriebstemperatur
- -
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 25A 130W Through Hole TO-247-3
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 500 @ 10A, 3V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 500µA
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 25A
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