SN75468N
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 100V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 1.6V @ 500µA, 350mA
- Transistor-Typ
- 7 NPN Darlington
- Supplier Device-Gehäuse
- 16-PDIP
- Serie
- -
- Leistung - max
- -
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- 16-DIP (0.300", 7.62mm)
- Andere Namen
- 296-9917-5
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 8 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 100V 500mA Through Hole 16-PDIP
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- -
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- -
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 500mA
- Basisteilenummer
- SN75468
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