ST5027
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 800V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- -
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-220
- Serie
- -
- Leistung - max
- 90W
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- TO-220-3
- Betriebstemperatur
- -
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 3A 90W Through Hole TO-220
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- -
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- -
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 3A
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