STB18N65M5
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
STB18N65M5 sind verfügbar. Wir können STB18N65M5 liefern. Verwenden Sie das Angebotsformular, um STB18N65M5-Pirce und Vorlaufzeit anzufordern.Atosn.com ist ein professioneller Händler für elektronische Komponenten. Wir haben einen großen Lagerbestand und können schnell liefern. Kontaktieren Sie uns noch heute und unser Vertriebsmitarbeiter wird Ihnen den Preis und die Versanddetails auf der Teilenummer STB18N65M5 mitteilenund technisches Team, wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.
Angebot anfordern
Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- D2PAK
- Serie
- MDmesh™ V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 220 mOhm @ 7.5A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 110W (Tc)
- Verpackung
- Tape & Reel (TR)
- Verpackung / Gehäuse
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Andere Namen
- 497-13083-2
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 42 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 1240pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 31nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 650V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 650V 15A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 15A (Tc)
Ähnliche Produkte
- STMicroelectronics STB18N65M5
- STB18N65M5-Datenblatt
- STB18N65M5-Datenblatt
- STB18N65M5 pdf Datenblatt
- Laden Sie das STB18N65M5-Datenblatt herunter
- STB18N65M5-Bild
- STB18N65M5 Teil
- ST STB18N65M5
- STMicroelectronics STB18N65M5