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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse
DPAK
Serie
STripFET™ F6
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (max)
70W (Tc)
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen
497-15462-2
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3780pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Typ FET
P-Channel
FET-Merkmal
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
detaillierte Beschreibung
P-Channel 60V 35A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
35A (Tc)

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