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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Vgs (Max)
±30V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse
TO-220FP
Serie
MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Verlustleistung (max)
110W (Tc)
Verpackung
Tube
Verpackung / Gehäuse
TO-220-3 Full Pack
Andere Namen
497-17080
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit
42 Weeks
Typ FET
N-Channel
FET-Merkmal
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
detaillierte Beschreibung
N-Channel 900V 7A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
7A (Tc)

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