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STMicroelectronics

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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 20A
Testbedingung
400V, 20A, 12 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C
26ns/108ns
Schaltenergie
140µJ (on), 560µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse
D2PAK
Serie
M
Rückwärts-Erholzeit (Trr)
166ns
Leistung - max
166W
Verpackung / Gehäuse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit
42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp
Standard
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Gate-Ladung
63nC
detaillierte Beschreibung
IGBT Trench Field Stop 650V 40A 166W Surface Mount D2PAK
Strom - Collector Pulsed (Icm)
80A
Strom - Kollektor (Ic) (max)
40A

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