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STGD4M65DF2
STMicroelectronics

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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Testbedingung
400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C
12ns/86ns
Schaltenergie
40µJ (on), 136µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse
DPAK
Serie
M
Rückwärts-Erholzeit (Trr)
133ns
Leistung - max
68W
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen
497-16963-2
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp
Standard
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Gate-Ladung
15.2nC
detaillierte Beschreibung
IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK
Strom - Collector Pulsed (Icm)
16A
Strom - Kollektor (Ic) (max)
8A

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