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STMicroelectronics

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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 60A
Testbedingung
400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C
51ns/160ns
Schaltenergie
1.09mJ (on), 626µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse
TO-3P
Serie
-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)
60ns
Leistung - max
375W
Verpackung
Tube
Verpackung / Gehäuse
TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen
497-14232-5
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit
42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp
Standard
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Gate-Ladung
306nC
detaillierte Beschreibung
IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P
Strom - Collector Pulsed (Icm)
240A
Strom - Kollektor (Ic) (max)
80A

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