STI32N65M5
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
STI32N65M5 sind verfügbar. Wir können STI32N65M5 liefern. Verwenden Sie das Angebotsformular, um STI32N65M5-Pirce und Vorlaufzeit anzufordern.Atosn.com ist ein professioneller Händler für elektronische Komponenten. Wir haben einen großen Lagerbestand und können schnell liefern. Kontaktieren Sie uns noch heute und unser Vertriebsmitarbeiter wird Ihnen den Preis und die Versanddetails auf der Teilenummer STI32N65M5 mitteilenund technisches Team, wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.
Angebot anfordern
Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- I2PAK
- Serie
- MDmesh™ V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 119 mOhm @ 12A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 150W (Tc)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Andere Namen
- 497-11331-5
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 3320pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 72nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 650V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 650V 24A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 24A (Tc)
Ähnliche Produkte
- STMicroelectronics STI32N65M5
- STI32N65M5-Datenblatt
- STI32N65M5-Datenblatt
- STI32N65M5 pdf Datenblatt
- Laden Sie das STI32N65M5-Datenblatt herunter
- STI32N65M5-Bild
- STI32N65M5 Teil
- ST STI32N65M5
- STMicroelectronics STI32N65M5