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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse
PowerFlat™ (5x6)
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)
4.8W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse
8-PowerVDFN
Andere Namen
497-15911-2
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit
38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Typ FET
N-Channel
FET-Merkmal
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
detaillierte Beschreibung
N-Channel 60V 145A (Tc) 4.8W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
145A (Tc)

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