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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse
PowerFlat™ (8x8) HV
Serie
MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)
3W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse
8-PowerVDFN
Andere Namen
497-13449-2
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit
42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Typ FET
N-Channel
FET-Merkmal
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
detaillierte Beschreibung
N-Channel 500V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
2.8A (Ta), 14A (Tc)

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