STL4N10F7
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 70 mOhm @ 2.25A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 2.9W (Ta), 50W (Tc)
- Verpackung
- Tape & Reel (TR)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-PowerVDFN
- Andere Namen
- 497-14989-2
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 38 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 408pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.8nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 100V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 100V 4.5A (Ta), 18A (Tc) 2.9W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 4.5A (Ta), 18A (Tc)
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