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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse
PowerFLAT™ (5x5)
Serie
MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)
4W (Ta), 67W (Tc)
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse
8-PowerVDFN
Andere Namen
497-16519-2
STL7N60M2-ND
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit
42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
271pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 10V
Typ FET
N-Channel
FET-Merkmal
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
detaillierte Beschreibung
N-Channel 600V 5A (Tc) 4W (Ta), 67W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (5x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
5A (Tc)

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