STP26N60M2
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- -
- Vgs (Max)
- -
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-220
- Serie
- MDmesh™ M2
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- -
- Verlustleistung (max)
- 169W (Tc)
- Verpackung / Gehäuse
- TO-220-3
- Betriebstemperatur
- -
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 42 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 600V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 600V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-220
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 20A (Tc)
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