STP28N60DM2
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
STP28N60DM2 sind verfügbar. Wir können STP28N60DM2 liefern. Verwenden Sie das Angebotsformular, um STP28N60DM2-Pirce und Vorlaufzeit anzufordern.Atosn.com ist ein professioneller Händler für elektronische Komponenten. Wir haben einen großen Lagerbestand und können schnell liefern. Kontaktieren Sie uns noch heute und unser Vertriebsmitarbeiter wird Ihnen den Preis und die Versanddetails auf der Teilenummer STP28N60DM2 mitteilenund technisches Team, wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.
Angebot anfordern
Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-220
- Serie
- MDmesh™ DM2
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 160 mOhm @ 10.5A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 170W (Tc)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-220-3
- Andere Namen
- 497-16348-5
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 42 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 1500pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 600V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 600V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 21A (Tc)
Ähnliche Produkte
- STMicroelectronics STP28N60DM2
- STP28N60DM2-Datenblatt
- STP28N60DM2-Datenblatt
- STP28N60DM2 pdf Datenblatt
- Laden Sie das STP28N60DM2-Datenblatt herunter
- STP28N60DM2-Bild
- STP28N60DM2 Teil
- ST STP28N60DM2
- STMicroelectronics STP28N60DM2