STS4DNF60
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Supplier Device-Gehäuse
- 8-SO
- Serie
- STripFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 90 mOhm @ 2A, 10V
- Leistung - max
- 2W
- Verpackung
- Cut Tape (CT)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Andere Namen
- 497-8041-1
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 315pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 10nC @ 10V
- Typ FET
- 2 N-Channel (Dual)
- FET-Merkmal
- Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 60V
- detaillierte Beschreibung
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4A 2W Surface Mount 8-SO
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 4A
- Basisteilenummer
- ST*4DNF
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