STS4DNFS30
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 8-SO
- Serie
- STripFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 55 mOhm @ 2A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 2W (Tc)
- Verpackung
- Cut Tape (CT)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Andere Namen
- 497-6187-1
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 330pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 4.7nC @ 5V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- Schottky Diode (Isolated)
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 30V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 30V 4.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 4.5A (Tc)
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