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STGP10NB60SD
STMicroelectronics

STGP10NB60SD

STMicroelectronics
IGBT 600V 29A 80W TO220
Bleifrei / RoHS-konform

Anfrage Preis & Vorlaufzeit

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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 10A
Testbedingung
480V, 10A, 1 kOhm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C
700ns/1.2µs
Schaltenergie
600µJ (on), 5mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse
TO-220AB
Serie
PowerMESH™
Rückwärts-Erholzeit (Trr)
37ns
Leistung - max
80W
Verpackung
Tube
Verpackung / Gehäuse
TO-220-3
Andere Namen
497-5008-5
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp
Standard
IGBT-Typ
-
Gate-Ladung
33nC
detaillierte Beschreibung
IGBT 600V 29A 80W Through Hole TO-220AB
Strom - Collector Pulsed (Icm)
80A
Strom - Kollektor (Ic) (max)
29A
Basisteilenummer
STG*10NB

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