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STGP10M65DF2
STMicroelectronics

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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 10A
Testbedingung
400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C
19ns/91ns
Schaltenergie
120µJ (on), 270µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse
TO-220
Serie
-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)
96ns
Leistung - max
115W
Verpackung
Tube
Verpackung / Gehäuse
TO-220-3
Andere Namen
497-15840-5
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit
42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp
Standard
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Gate-Ladung
28nC
detaillierte Beschreibung
IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-220
Strom - Collector Pulsed (Icm)
40A
Strom - Kollektor (Ic) (max)
20A

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