2N6987
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 60V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 1.6V @ 50mA, 500mA
- Transistor-Typ
- 4 PNP (Quad)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-116
- Serie
- -
- Leistung - max
- 1.5W
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- 14-DIP (0.300", 7.62mm)
- Betriebstemperatur
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 12 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 1.5W Through Hole TO-116
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 100 @ 150mA, 10V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 10µA (ICBO)
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 600mA
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