Deutsch

Sprache auswählen

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Kategorien

  1. Integrierte schaltkreise (ICS)

    Integrierte schaltkreise (ICS)

  2. Diskrete Halbleiter-Produkte
  3. Kondensatoren
  4. RF/if und RFID
  5. Widerstände
  6. Sensoren, Wandler

    Sensoren, Wandler

  7. Relais
  8. Netzteile-Board Mount
  9. Isolatoren
  10. Induktive, Spulen, Drosseln
  11. Anschlüsse, Verbindungen

    Anschlüsse, Verbindungen

  12. Circuit Protection
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays > 2N6989
Microsemi

2N6989

Microsemi
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
Enthält Blei / RoHS nicht konform

Anfrage Preis & Vorlaufzeit

2N6989 sind verfügbar. Wir können 2N6989 liefern. Verwenden Sie das Angebotsformular, um 2N6989-Pirce und Vorlaufzeit anzufordern.Atosn.com ist ein professioneller Händler für elektronische Komponenten. Wir haben einen großen Lagerbestand und können schnell liefern. Kontaktieren Sie uns noch heute und unser Vertriebsmitarbeiter wird Ihnen den Preis und die Versanddetails auf der Teilenummer 2N6989 mitteilenund technisches Team, wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.


Angebot anfordern

  • Teil-Nr.:
  • Anzahl:
  • Zielpreis:(USD)
  • Kontaktname:
  • Ihre Email:
  • Ihr Tel:
  • Bemerkung/Erläuterung:

Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ
4 NPN (Quad)
Supplier Device-Gehäuse
TO-116
Serie
-
Leistung - max
1.5W
Verpackung
Bulk
Verpackung / Gehäuse
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang
-
detaillierte Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
100 @ 150mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)
800mA

Ähnliche Produkte