STBV45-AP
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 400V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 1.5V @ 135mA, 400mA
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-92AP
- Serie
- -
- Leistung - max
- 950mW
- Verpackung
- Tape & Box (TB)
- Verpackung / Gehäuse
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Andere Namen
- 497-12548-3
STBV45-AP-ND
STBV45AP
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 750mA 950mW Through Hole TO-92AP
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 5 @ 400mA, 5V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 250µA
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 750mA
- Basisteilenummer
- STBV45
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