STBV68
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 400V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 5V @ 100mA, 250mA
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-92-3
- Serie
- -
- Leistung - max
- 900mW
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 600mA 900mW Through Hole TO-92-3
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 3 @ 250mA, 10V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- -
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 600mA
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