CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A
Bleifrei / RoHS-konform
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
CSD13302W sind verfügbar. Wir können CSD13302W liefern. Verwenden Sie das Angebotsformular, um CSD13302W-Pirce und Vorlaufzeit anzufordern.Atosn.com ist ein professioneller Händler für elektronische Komponenten. Wir haben einen großen Lagerbestand und können schnell liefern. Kontaktieren Sie uns noch heute und unser Vertriebsmitarbeiter wird Ihnen den Preis und die Versanddetails auf der Teilenummer CSD13302W mitteilenund technisches Team, wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.
Angebot anfordern
Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1.3V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±10V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 4-DSBGA
- Serie
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V
- Verlustleistung (max)
- 1.8W (Ta)
- Verpackung
- Cut Tape (CT)
- Verpackung / Gehäuse
- 4-UFBGA, DSBGA
- Andere Namen
- 296-48118-1
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 35 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 862pF @ 6V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.8nC @ 4.5V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 12V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 1.6A (Ta)
Ähnliche Produkte
- CSD13302W
- CSD13302W-Datenblatt
- CSD13302W-Datenblatt
- CSD13302W pdf Datenblatt
- Laden Sie das CSD13302W-Datenblatt herunter
- CSD13302W-Bild
- CSD13302W Teil