CSD13383F4
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1.25V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±10V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 3-PICOSTAR
- Serie
- FemtoFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 44 mOhm @ 500mA, 4.5V
- Verlustleistung (max)
- 500mW (Ta)
- Verpackung
- Cut Tape (CT)
- Verpackung / Gehäuse
- 3-XFDFN
- Andere Namen
- 296-39991-1
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 35 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 291pF @ 6V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 2.6nC @ 4.5V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 12V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 12V 2.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 2.9A (Ta)
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