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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Vgs (Max)
8V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse
3-PICOSTAR
Serie
FemtoFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 500mA, 4.5V
Verlustleistung (max)
500mW (Ta)
Verpackung
Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse
3-XFDFN
Andere Namen
296-37779-1
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit
35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Typ FET
N-Channel
FET-Merkmal
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
detaillierte Beschreibung
N-Channel 12V 2.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
2.1A (Ta)
Basisteilenummer
CSD13381

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